رشد و بررسی خواص نانو ساختاری اکسید تیتانیوم و نیتراید آلومینیوم
(ندگان)پدیدآور
علی بهاریکبرا حسن زادهمونا امیرصادقیماندانا رودبارینوع مدرک
Textزبان مدرک
فارسیچکیده
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( AES (Auger Electron Spectroscopy و( SEM (Scanning Electron Microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این ویژگی در کنار بالا بودن ثابت دی الکتریک آنها, می تواند از آنها یک گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسید فرا نازک سیلیکون بسازد.
کلید واژگان
نیمرسانافیلم نازک
CMOS
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم
تکنیکهای سینکروترون
AES و SEM
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2008-05-211387-03-01
ناشر
انجمن فیزیک ایرانشاپا
1682-69572345-3664




