وابستگی مقاومت الکتریکی سیمهای باریک به میدان مغناطیسی و دما
چکیده
در این مقاله تغییرات مقاومت الکتریکی سیمهای نانویی بیسموت بر حسب دما و میدان مغناطیسی مطالعه گردیده است. به همین منظور اثر پیکر و پراکندگی سطحی حاملها, در سیمهای باریک را برای سیستمهای با سطوح فرمی بیضوی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج به دست آمده با داده های تجربی تطبیق داده شده اند.
کلید واژگان
اثر پیکرسطح فرمی بیضوی
بازتاب آینه‌ای
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2006-05-221385-03-01
ناشر
انجمن فیزیک ایرانشاپا
1682-69572345-3664
