مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

Abstract

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی از قبیل سرعت شار بخار، فشار آن و توزیع دما درون محفظه لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفته و به منظور مطالعه و تحلیل، نتایج آن به صورت نمودارهای مناسب ارائه گردید. همچنین وابستگی دمای زیر لایه روی نرخ رشد ماده و الگوی توزیع جرم در نمونه لایه نازک بررسی گردید. با مقایسه ی نتایج شبیه سازی و داده های آزمایشگاهی، علاوه بر بررسی دقت مدل ارائه شده می توان توصیفی مناسب از ارتباط بین نرخ تشکیل لایه با دمای زیر لایه را یافت.