تاثیر کاشت یونی ژرمانیم در فرآیند ایجاد اکسید حرارتی سیلیکون
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
1.349 مگابایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی
زبان مدرک
فارسیچکیده
سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.
شماره نشریه
10تاریخ نشر
1991-05-221370-03-01
ناشر
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ایNuclear Science and Technology Research Institute
سازمان پدید آورنده
گروه مواد هسته ای سازمان انرژی اتمی ایرانشاپا
1735-18712676-5861
