| dc.contributor.author | کاظمی, سمیرا | fa_IR |
| dc.contributor.author | مرادیان, رستم | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-07-09T01:29:49Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-09-30T01:29:49Z | |
| dc.date.available | 1399-07-09T01:29:49Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-09-30T01:29:49Z | |
| dc.date.issued | 2019-04-21 | en_US |
| dc.date.issued | 1398-02-01 | fa_IR |
| dc.date.submitted | 2018-07-16 | en_US |
| dc.date.submitted | 1397-04-25 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | کاظمی, سمیرا, مرادیان, رستم. (1398). جدیدترین نانوساختارهای پنج ضلعی تک لایه: اصول اولیه محاسباتی. پژوهش سیستم های بس ذره ای, 9(1), 169-178. doi: 10.22055/jrmbs.2019.14598 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2322-231X | |
| dc.identifier.issn | 2588-4980 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2019.14598 | |
| dc.identifier.uri | http://jrmbs.scu.ac.ir/article_14598.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/200296 | |
| dc.description.abstract | در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت در گروه نیم رساناها دسته بندی می شوند. همچنین، در بخش خواص اپتیکی نیز، تعدادی از پارامترهای اپتیکی مانند ثابت دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری برای این ترکیبات مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات اپتیکی نشان می دهند که در قطبش میدان الکتریکی در راستای x گاف اپتیکی با گاف نواری همخوانی داشته و نیز انرژی پلاسمونی مطابقت بیشتری با مدل الکترون آزاد دارد. همچنین تعداد مؤثر الکترون ها در انرژی حدود 15 الکترون-ولت برای این ترکیبات به ترتیب معادل با 21، 20 و 20 الکترون به دست آمد که در مقایسه با تعداد الکترون های آزاد به علت جایگزیدگی تعدادی از آن ها کمتر است. | fa_IR |
| dc.format.extent | 706 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه شهید چمران اهواز | fa_IR |
| dc.publisher | Regional Information Center for Science and Technology (RICeST) | en_US |
| dc.relation.ispartof | پژوهش سیستم های بس ذره ای | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Journal of Research on Many-body Systems | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2019.14598 | |
| dc.subject | خواص الکترونی | fa_IR |
| dc.subject | خواص اپتیکی | fa_IR |
| dc.subject | تابع دی الکتریک | fa_IR |
| dc.subject | بازتاب پذیری | fa_IR |
| dc.subject | تابع اتلاف انرژی | fa_IR |
| dc.title | جدیدترین نانوساختارهای پنج ضلعی تک لایه: اصول اولیه محاسباتی | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.type | مقاله پژوهشی کامل | fa_IR |
| dc.contributor.department | مدرس حق التدریسی/دانشگاه رازی | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 9 | |
| dc.citation.issue | 1 | |
| dc.citation.spage | 169 | |
| dc.citation.epage | 178 | |
