طراحی ساختارهایی شامل تک‌لایه‌ی MoS2 با هدف کاهش جذب در ناحیه‌ی تراهرتز برای کاربری الکترود شفاف

Abstract

بلور دو بعدی مولبیدیم دی سولفات، MoS2، در بازه‌ی فرکانسی تراهرتز به علت کاربردهای اپتوالکترونیکی و کاربری آن برای الکترود شفاف در حوزه‌ی نانو بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله، به طراحی ساختارهایی شامل تک لایه‌ی MoS2 روی زیرلایه‌های مختلف و با قرارگیری در جایگاه های متفاوت این تک لایه در بلور فوتونی یک بعدی، 1DPC، به منظور کاهش جذب و افزایش عبور پرداخته‌ایم. ضریب شکست MoS2 را در ناحیه ی تراهرتز از رابطه درود محاسبه کرده‌ایم. طیف عبور و جذب این ساختارها در بازه‌ی فرکانسی تراهرتز از روش ماتریس انتقال، TMM، برای هر دو قطبش TE و TM بدست آمد. در ادامه نشان دادیم که طیف جذب با تغییر در مواد دی‌الکتریک و زاویه‌ی تابش در هر دو قطبش TE و TM تنطیم پذیر است. در نهایت در بهترین طراحی به جذب کمتر از تک لایه‌ی MoS2 و طیف عبور نزدیک 100 درصد دست یافتیم. نتایج بدست آمده برای طراحی نانو سازه های متشکل از الکترود شفاف در فوتونیک و الکترونیک سودمند خواهند بود.