استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
772.0کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی کامل
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی‌الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی‌الکتریک نیم‌رسانا) قدرت تابع دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین رفتار تابع دی‌الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی‌الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده‌ایم.
کلید واژگان
استتارکوآنتومیگاز الکترونی
نانوسیم
تابع دی الکتریک
شماره نشریه
11تاریخ نشر
2016-06-211395-04-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدانDepartment of Physics, Yazd University
شاپا
2322-231X2588-4980
