• ثبت نام
    • ورود به سامانه
    مشاهده مورد 
    •   صفحهٔ اصلی
    • نشریات فارسی
    • مهندسی مکانیک و ارتعاشات
    • دوره 6, شماره 1
    • مشاهده مورد
    •   صفحهٔ اصلی
    • نشریات فارسی
    • مهندسی مکانیک و ارتعاشات
    • دوره 6, شماره 1
    • مشاهده مورد
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    بهبود اعوجاج هارمونیک کل در اینورتر سه سطحی سیستم فتوولتاییک بر اساس روش حذف هارمونیک انتخابی

    (ندگان)پدیدآور
    رضوانی, مجیدطلوع عسکری, محمد
    Thumbnail
    دریافت مدرک مشاهده
    FullText
    اندازه فایل: 
    521.9کیلوبایت
    نوع فايل (MIME): 
    PDF
    نوع مدرک
    Text
    مقاله پژوهشی کامل
    زبان مدرک
    فارسی
    نمایش کامل رکورد
    چکیده
    در این مقاله یک تکنیک کلیدزنی قابل اطمینان و مؤثر به منظور بهبود اعوجاج هارمونیک کل، بدون استفاده از هیچ مدار فیلتری پیشنهاد می گردد. اعوجاج هارمونیکی کل اثرات مضری بر روی تجهیزات الکتریکی دارند و بطور ناخواسته می تواند باعث افزایش جریان در سیستم های قدرت و در راستای آن افزایش دما در هادی خنثی و ترانسفورماتورهای توزیع شود. این روش قادر خواهد بود هارمونیک انتخابی مرتبه پایین ولتاژ خط، در خروجی اینورتر را جهت بهبود اعوجاج هارمونیک کل حذف نماید. تعیین الگوی کلیدزنی برای حذف هارمونیک انتخابی مرتبه پایین، مستلزم استفاده از کلید زنی مدولاسیون پهنای پالس می باشد. لذا در این مقاله روشی مبتنی بر حذف بهینه ی هارمونیک انتخابی مرتبه پایین ولتاژ خط، با استفاده از اینورترهای سه سطحی از نوع آبشاری پیشنهاد می‌گردد و صحت و میزان کارایی روش پیشنهادشده با شبیه ‌سازی رایانه‌ای در نرم‌افزار متلب اعتبارسنجی میشود. همچنین روش پیشنهادی با روش مدولاسیون پهنای باند پاس با هم مقایسه می شوند.
    کلید واژگان
    اعوجاج هارمونیک کل
    هارمونیک
    مدولاسیون پهنای پالس
    حذف هارمونیک انتخابی
    انرژی های نو

    شماره نشریه
    1
    تاریخ نشر
    2015-05-22
    1394-03-01
    ناشر
    دانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان
    Islamic Azad University, Semnan Branch
    سازمان پدید آورنده
    دانشجوی کارشناسی ارشد،گروه مهندسی برق، واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران
    استادیار، مرکز تحقیقات انرژی و توسعه پایدار، واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران

    شاپا
    2423-5458
    2423-7329
    URI
    http://jvibme.semnaniau.ac.ir/article_515933.html
    https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/183229

    Related items

    Showing items related by title, author, creator and subject.

    • یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق 

      پورداود, ندا؛ دقیقی, آرش (دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد, 2012-02-20)
      امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم ...

    • نمایش های گروه و آنالیز هارمونیک از اویلر تا لانگلندز 

      صفاپور, احمد (انجمن ریاضی ایران, 2010-03-21)
      نمایش های گروه و آنالیز هارمونیک نقش حساسی در مباحث متنوعی چون نظریه اعداد، احتمال و ریاضی فیزیک ایفا می کنند. قضیه نمایش لانگلندز عنصری اساسی در کار وایلز روی آخرین قضیه فرما بود و نظریه نمایش چارچوبی برای پیش بینی وجود ...

    • توزیع تنش اطراف تونل‌های بیضی شکل به‌روش استیونسون 

      زمانی, مهدی؛ عالمی, مهدی (دانشگاه صنعتی شریفSharif University of Technology, 2018-02-20)
      در پژوهش حاضر، از توابع پتانسیل مختلط استیونسون برای تنش در محیط اطراف حفره‌ی بیضی‌شکل در داخل صفحه‌ی فلزی کشسان استفاده شده است. توابع پتانسیل مذکور برای تونل‌های طولانی و با فرض کرنش صفحه‌یی قابل استفاده هستند. ضرایب ...

    مرور

    همه جای سامانهپایگاه‌ها و مجموعه‌ها بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌هااین مجموعه بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌ها

    حساب من

    ورود به سامانهثبت نام

    آمار

    مشاهده آمار استفاده

    تازه ترین ها

    تازه ترین مدارک
    © کليه حقوق اين سامانه برای سازمان اسناد و کتابخانه ملی ایران محفوظ است
    تماس با ما | ارسال بازخورد
    قدرت یافته توسطسیناوب