نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده‌ای
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
1.359 مگابایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textعلمی-پژوهشی
زبان مدرک
فارسیچکیده
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار و خواص پایه گرافیتی و ساختار پوشش SiC با یافته‌های آزمایشگاهی و محاسبات تئوری بررسی شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان می‌دهد که در روش سمانتاسیون توده‌ای، پوشش کاربید سیلیسیم با تراکم مناسب با ترکیب Si، C و β-SiC ایجاد می‌شود. نوع گرافیت و خواص آنها نقش مهمی در ریزساختار پوشش تدریجی ایفا می‌کند، به طوری که پوشش تدریجی SiC تنها بر گرافیت با چگالی بالا، گرافیته شده خوب، تخلخل مناسب و با توزیع اندازه حفرات در محدوده 710-600 نانومتر تشکیل می‌شود.
کلید واژگان
سمانتاسیون تودهایپوشش کاربید سیلیسیم تدریجی
پایه گرافیتی
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2016-05-211395-03-01
ناشر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر مجلسیMajlesi Branch,Islamic Azad University
سازمان پدید آورنده
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهراناستاد، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
شاپا
2423-32262423-3234
