تاثیر آلاینده سرب بر خواص نوری لایه‌های اکسید ایندیم لایه‌نشانی شده به روش انباشت الکتروشیمیایی

Abstract

لایه‌های نانوساختار اکسید ایندیم (In₂O₃) خالص و آلاییده با مقادیر مختلف از سرب، به روش انباشت الکتروشیمیایی لایه‌نشانی شدند. نتایج حاصل از آنالیز الگوی پراش، وجود فاز اکسید ایندیم را در دو فاز بلوری مکعبی و رومبوهدرال تایید کردند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان می‌دهند که مواد رشد داده دارای ابعاد نانومتری بوده و اندازه آنها در محدوده nm 81-45 می‌باشد. طیف نور تابناکی نیز باندهای گسیلی در محدوده طیف مرئی را نشان می‌دهد. طیف جذبی نانوساختارها وجود لبه جذب را در ناحیه فرابنفش نشان داد که با افزودن ناخالصی سرب یک کاهش در شدت جذب مشاهده شد. همچنین انرژی شکاف باند نوری مواد بدست آمده هنگام آلایش با سرب یک کاهش را نشان داد.