ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
چکیده
در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه شده برای جلوگیری از تجمع حفره‌ها درون سطح کانال از سیلیسیم-ژرمانیوم استفاده شده است. این کار باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE)، اثر خودگرمایی (SHE) و جریان چگالی حفره‌ها در ماسفت‌های سه‌گیتی می‌شود. نتایج این ساختار با نرم‌افزار Silvaco به‌صورت سه‌بعدی شبیه‌سازی شده است.
کلید واژگان
اثر کانال کوتاهسیلیسیم-ژرمانیم
ماسفت های چندگیتی
شماره نشریه
3تاریخ نشر
2018-11-221397-09-01
ناشر
رئیس دانشکده مهندسی برق و کامپیوترFaculty of Electrical & Computer Engineering
سازمان پدید آورنده
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمناندانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان
شاپا
2008-77992538-3051
