| dc.contributor.author | نبوی لاریمی, سید صابر | fa_IR |
| dc.contributor.author | کمال, مهدی | fa_IR |
| dc.contributor.author | افضلی کوشا, علی | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-07-08T21:23:14Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-09-29T21:23:14Z | |
| dc.date.available | 1399-07-08T21:23:14Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-09-29T21:23:14Z | |
| dc.date.issued | 2019-11-22 | en_US |
| dc.date.issued | 1398-09-01 | fa_IR |
| dc.date.submitted | 2017-02-20 | en_US |
| dc.date.submitted | 1395-12-02 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | نبوی لاریمی, سید صابر, کمال, مهدی, افضلی کوشا, علی. (1398). BIMS : ساختار توکار میانی حافظه برای بهبود حافظه‌های تغییر فاز چندسطحی. مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 49(3), 1405-1414. | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2008-7799 | |
| dc.identifier.issn | 2538-3051 | |
| dc.identifier.uri | https://tjee.tabrizu.ac.ir/article_9587.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/109183 | |
| dc.description.abstract | در این مقاله، روشی به نام ساختار توکار میانی حافظه (BIMS) را معرفی خواهیم کرد که باعث کاهش انرژی مصرفی و زمان دسترسی حافظه‌های اصلی ساخته‌شده با فناوری حافظه‌های تغییر فاز (PCM) خواهد شد. این روش از قابلیت افزاره‌های PCM که قادر هستند هم به‌صورت سلول تک‌سطحی (SLC) و هم چندسطحی (MLC) مورد استفاده قرار بگیرند، استفاده می‌کند. در این روش، داده‌ها به‌صورت پیش‌فرض در سلول‌هایی با قابلیت ذخیره‌سازی بیشتر از یک بیت ذخیره می‌شوند. اما مکانیزم داخلی این روش، سلول‌های صفحات فیزیکی بلا استفاده را به سلول‌های تک‌سطحی تبدیل می‌کند. با استفاده از این صفحات، لایه‌ای بین حافظه‌ی نهان پردازنده و صفحات اصلی به‌وجود می‌آورد که می‌تواند دستورات خواندن و نوشتن در حافظه را در مدت زمان کمتر و با انرژی کمتر پاسخ دهد. این لایه میانی، بسیاری از دسترسی‌ها به صفحات با افزاره‌های MLC را با جذب آن‌ها از بین می‌برد. | fa_IR |
| dc.format.extent | 484 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | رئیس دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر | fa_IR |
| dc.publisher | Faculty of Electrical & Computer Engineering | en_US |
| dc.relation.ispartof | مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | TABRIZ JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING | en_US |
| dc.subject | حافظه تغییر فاز (PCM) | fa_IR |
| dc.subject | مدیریت حافظه | fa_IR |
| dc.subject | صفحه | fa_IR |
| dc.subject | سلول حافظه چندسطحی | fa_IR |
| dc.subject | زمان دسترسی | fa_IR |
| dc.subject | انرژی مصرفی | fa_IR |
| dc.title | BIMS : ساختار توکار میانی حافظه برای بهبود حافظه‌های تغییر فاز چندسطحی | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.contributor.department | دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 49 | |
| dc.citation.issue | 3 | |
| dc.citation.spage | 1405 | |
| dc.citation.epage | 1414 | |
