تقویت‌کننده الکترونیکی مقاومت انتقالی برای شبکه‌های مخابرات نوری با ساختار جدید مبتنی بر پسخور فعال ولتاژ جریان

Abstract

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولتاژ مطلوب در گیت ایجاد می‌شود. سپس مداری بر اساس ساختار ارائه‌شده، پیشنهاد می‌شود. مدار پیشنهادی با تکنولوژی 0.18 میکرومتر CMOS شبیه‌سازی شد و نتایج بهره برابر با dBΩ 59 با ریپل بهره کمتر از dBΩ 1 در پهنای باند GHz 8.6 به دست آمد. توان مصرفی مدار mW 18 با منبع V 1.8 و چگالی طیفی جریان نویز در ورودی 23 محاسبه شد. مقادیر بالا در حضور خازن پارازیتی 300fF فوتودیود در ورودی است. در ساختار جدید مصالحه‌های جدیدی ممکن می‌شود. این مصالحه‌ها درجات آزادی بیشتری را که در ساختارهای قبلی در دسترس نبود، فراهم می‌سازد.