ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو
چکیده
ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت پشتی قرار گرفته است. این ساختار جدید (OW-DG (Oxide Window Double Gate نامیده می‌شود. شبیه‌سازی‌های انجام شده توسط شبیه‌ساز ATLAS نشان می‌دهد که ترانزیستور جدید، جریان حالت خاموش، خازن‌های پارازیتی و دمای الکترون را در مقایسه با ساختار متداول به‌طور چشم‌گیری کاهش می‌دهد.
کلید واژگان
ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (ماسفت)تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
ترانزیستورهای دوگیتی
دمای الکترون
شماره نشریه
2تاریخ نشر
2017-08-231396-06-01
ناشر
رئیس دانشکده مهندسی برق و کامپیوترFaculty of Electrical & Computer Engineering
سازمان پدید آورنده
دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسیدانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی
شاپا
2008-77992538-3051
