| dc.contributor.author | آهنگر, مهدی | fa_IR |
| dc.contributor.author | حسینی, عارفه | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1401-04-10T21:06:10Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2022-07-01T21:06:11Z | |
| dc.date.available | 1401-04-10T21:06:10Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2022-07-01T21:06:11Z | |
| dc.date.issued | 2022-05-01 | en_US |
| dc.date.issued | 1401-02-11 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | آهنگر, مهدی, حسینی, عارفه. (1401). مطالعه‌ی تجربی پارامترهای عملکردی یک تراستر پلاسمایی با رژیم تخلیهی مانع دیالکتریک تحت میدان مغناطیسی. مهندسی مکانیک مدرس, 22(6), 393-406. doi: 10.52547/mme.22.6.393 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 1027-5940 | |
| dc.identifier.issn | 2476-6909 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.52547/mme.22.6.393 | |
| dc.identifier.uri | http://mme.modares.ac.ir/article-15-54420-fa.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/910976 | |
| dc.description.abstract | در این پژوهش، جریان کانال ناشی از پلاسمای تخلیهی مانع دی الکتریک تحت میدان مغناطیسی اعمالی برای استفاده به عنوان تراستر در کاربردهای پیشرانشی پیشنهاد شده و به صورت تجربی مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازهگیریهای مقـادیر نیروی پیشـران و توان مصرفی تراسـتر به ازای مقادیر مخـتلف ضخـامت مانع دیالکتریک انجام شده و دادهها با مقادیر متناظر با حالت بدون میدان مغناطیسی مقایسه شدهاند. مشخص گردید که توان مصرفی و نیروی پیشران تراستر در حضور میدان مغناطیسی نسبت به حالت بدون آن، به ترتیب قدری کاهش و افزایش پیدا میکنند. اندازهگیریها نشان میدهند که با افزایش یکنواخت ولتاژ اعمالی در دامنه 12 تا 26 کیلوولت، پارامترکارایی تا حداکثر مقدار خود افزایش و سپس کاهش مییابد. یک تحلیل مبتنی بر قانون توانی برای آشکار کردن روابط بین پارامتر کارایی، نیروی پیشران، توان مصرفی و ولتاژ اعمالی برای تراستر برای حالت با و بدون میدان مغناطیسی ارائه شده است. نتایج نشان میدهند که حضور میدان مغناطیسی و مانع دیالکتریک ضخیمتر میتوانند منجر به مقادیر بالاتر پارامترکارایی به ویژه پس از انتقال از رژیم برافروختگی به رژیم رگهای شوند. اثرات میکروکانالهای تخلیه در هر دو رژیم مذکور بر پارامتر کارایی مورد بحث قرار گرفته است. مشاهدات تجربی نشان میدهند که در حضور میدان مغناطیسی، میکروکانالهای تخلیهی اضافی تولید شده و در امتداد خطوط میدان مغناطیسی توسعه مییابند، به طوری که انتشار نفوذی تخلیه در پلاسما قویتر میشود. مکانیزم فیزیکی حاکم بر این پدیدهها تشریح شده و عمدتاً به میزان یونیزاسیون افزایش یافتهی ناشی از میدان مغناطیسی مرتبط شده است. | fa_IR |
| dc.format.extent | 1273 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه تربیت مدرس | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | مهندسی مکانیک مدرس | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Modares Mechanical Engineering | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.52547/mme.22.6.393 | |
| dc.subject | اندازه‌گیری تجربی | fa_IR |
| dc.subject | قانون توانی | fa_IR |
| dc.subject | رژیم رگهای | fa_IR |
| dc.subject | روش خازن ناظر | fa_IR |
| dc.title | مطالعه‌ی تجربی پارامترهای عملکردی یک تراستر پلاسمایی با رژیم تخلیهی مانع دیالکتریک تحت میدان مغناطیسی | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.contributor.department | استادیار، دانشکده فناوری‌های نوین و مهندسی هوافضا، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فناوری‌های نوین و مهندسی هوافضا، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 22 | |
| dc.citation.issue | 6 | |
| dc.citation.spage | 393 | |
| dc.citation.epage | 406 | |
