انتقال حرارت جابجایی آب / در یک ریزکانال مربعی تحت شار حرارتی و میدان مغناطیسی یکنواخت

Abstract

در این مقاله به بررسی انتقال حرارت جابجایی نانوسیال آب/ Fe3O4 در کانال با سطح مقطع مربعی با ابعاد cm1⨯cm1⨯cm80 تحت تأثیر شار حرارتی یکنواخت در جریان آرام فروسیال در حضور میدان مغناطیسی پرداخته می‌شود. ابتدا به تولید فروسیال با درصدهای حجمی %0/5 و %1 ، بررسی کیفیت فروسیال و روش تولیدی پرداخته می‌شود. نتایج آزمون‌های پتانسیل زتا و اشباع مغناطیسی فروسیال نشان از کیفیت و پایداری فروسیال تولیدی دارد. خواص ترمو فیزیکی فروسیال ساخته شده با روابط تجربی موجود مقایسه و ارزیابی می‌شوند. انتقال حرارت جابجایی فروسیال تولیدی تحت تأثیر شارهای حرارتی کل 546 – 134 وات، بدون حضور میدان مغناطیسی خارجی بررسی و سپس تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بر انتقال حرارت فروسیال با درصد حجمی%0/5، تحت تأثیر شار حرارتی کل 1258/2 وات مطالعه می‌شود. میزان افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی نسبت به آب خالص، بدون وجود میدان خارجی، برای فروسیال با درصد حجمی %1، تحت شار حرارتی کل 134 وات، معادل %30، تحت شار حرارتی کل 545 وات، معادل %48 و تحت شار حرارتی کل 321/3 وات، معادل %38 می‌باشند. در شار حرارتی 1258/2 وات و برای فروسیال با غلظت %0/5، ضریب انتقال حرارت جابجایی در حضور میدان مغناطیسی خارجی نسبت به حالت عدم وجود میدان %3/16 رشد دارد.