نقش نانوذرات اکسید‌آهن و میدان مغناطیسی بر آپوپتوز و بیان ژن Bax در هیپوکامپ رت متعاقب ایسکمی ریپرفیوژن

Abstract

سابقه و هدف: سکته مغزی دومین علت منجر به مرگ در جهان است. بعد از سکته مغزی، بسیاری از نورون ها در مرز ایسکمی متحمل آپوپتوز می‌شوند. هدف از این مطالعه بررسی اثرات نانوذرات اکسید‌آهن و میدان مغناطیسی در کاهش آپوپتوز بعد از ایسکمی ریپرفیوژن در مدل رت می باشد. مواد و روش­ها: در این مطالعه تجربی، 50 سر رت نر نژاد ویستار(250-220 گرم) بطور تصادفی به 5 گروه ده تایی شامل کنترل، شم (ایسکمی ریپرفیوژن)، ایسکمی ریپرفیوژن+تحت تیمار با نانوذرات اکسید‌آهن (mg/kg 10)، ایسکمی ریپرفیوژن+میدان مغناطیسی(1 تسلا، 20 دقیقه روزانه به مدت 4 روز) و ایسکمی ریپرفیوژن+استفاده از نانو ذره اکسید آهن و میدان مغناطیسی به طور همزمان تقسیم شد. تزریق‌ها به روش درون صفاقی انجام شد. بعد از چهار روز، هیپوکامپ‌ها از مغز موش‌ها جهت مطالعه القاء آپوپتوزیس (به روش TUNEL) و تغییرات بیان ژن‌ Bax (به روش Q-PCR)جدا شده و مورد بررسی قرار گرفت. یافته ها: بعد از القاء ایسکمی ریپرفیوژن، تعداد سلول‌های تانل مثبت تحت تیمار با نانوذرات اکسید‌آهن (2±7) و یا میدان مغناطیسی (2±12) در طول 4 روز کاهش معنی داری نسبت به گروه ایسکمی ریپرفیوژن (5±27) نشان داد (0/01>p). اما تیمار همزمان با نانوذرات و میدان مغناطیسی (2/6±23) تفاوت معنی‌داری در مقایسه با گروه ایسکمی ریپرفیوژن (5±27) در طول 4 روز نشان نداد. بعلاوه بیان ژن Bax در گروه تحت‌تیمار با نانوذرات اکسید‌آهن (0/22±2/46) یا در گروه در معرض میدان مغناطیسی (0/33±3/28)به طور معنی‌داری(0/01>p) در مقایسه با مدل ایسکمی ریپرفیوژن (0/73±5/21) کاهش داشت. نتیجه گیری: با توجه به نتایج این مطالعه، به نظر می رسد که نانوذرات اکسید‌آهن، همینطور میدان مغناطیسی دو روش مؤثر در کاهش آپوپتوز بعد از ایسکمی ریپرفیوژن باشند.