تاثیر تؤام میدان‌های مغناطیسی و چند آنتی‌بیوتیک بر رشد باکتری استافیلوکوکوس‌آرئوس

Abstract

اثرمیدان‌های الکترو مغناطیسی بر باکتری‌ها‌ را از طریق ایجاد منافذی بر روی غشای سیتوپلاسمی اعمال می‌‌گردد. از سوی دیگر آنتی‌بیوتیک‌های گوناگون دارای اثرات متفاوتی بر باکتری‌های گوناگون هستند. به‌علاوه تحقیقات گوناگون نشان داده‌اند که میدان‌های الکترومغناطیسی سرعت بهبودی زخم‌ها را افزایش می‌دهند. در تحقیق حاضر ابتدا اثر چهار آنتی‌بیوتیک جنتامایسین، تتراسیکلین، اریترومایسین و وانکومایسین با استفاده از روش نفوذ دیسک آ‌گار بر باکتری استافیلوکوکوس آرئوس بررسی شد. آنتی‌بیوتیک‌های جنتامایسین، تتراسیکلین و اریترومایسین روی سنتز پروتئین و آنتی بیوتیک وانکومایسین روی سنتز دیواره سلولی باکتری‌ها اثر بازدارنده دارد. در این تحقیق باکتری استافیلوکوکوس آرئوس مورد مطالعه نسبت به جنتامایسین، تتراسیکلین و اریترومایسین مقاوم و نسبت به وانکومایسین حساس بود. سپس اثر توام میدان‌های مغناطیسی با شدت G 12 و G 21 در زمان‌های مختلف، همراه با اثر این آنتی‌بیوتیک‌ها بر رشد باکتری یاد شده مطالعه گردید. این میدان‌ها بر روی الگوی حساسیت تتراسایکلین، اریترومایسین و وانکومایسین اثر محسوسی نداشت ولی الگوی حساسیت به جنتامایسین را تغییر ‌داد. نتیجه بررسی تغییر حساسیت باکتری استافیلوکوکوس آرئوس نسبت به آنتی‌بیوتیک‌های مطالعه شده پس از قرار گرفتن در معرض میدان‌های مغناطیسی در زمان‌های گوناگون مؤید آن است که میدان‌های مغناطیسی قادرند، الگوی حساسیت این باکتری در برابر برخی از آنتی‌بیوتیک‌ها را تغییر دهند. احتمالا استفاده تؤام از برخی آنتی‌بیوتیک‌ها و میدان‌های مغناطیسی می‌تواند در بهبودی سریع‌تر زخم‌ها اثر مؤثری داشته باشد.