تاثیر بستر ویسکوالاستیک هیتنی و ویسکوزیته سیال بر رفتار دینامیکی میکرولوله حامل سیال تحت فلاتر و تشدید پارامتریک مغناطیسی

Abstract

در این پژوهش ارتعاشات غیرخطی جانبی میکرولوله حاوی سیال تحت شرایط تشدید پارامتریک مغناطیسی محوری مورد مطالعه قرار می‌گیرد. برای این منظور، معادلات غیرخطی حاکم بر حرکات جانبی میکرولوله تیر مانند با استفاده از تئوری تغییر شکل‌های برشی مرتبه اول ردی با احتساب اثر ویسکوزیته و شتاب جانب مرکز سیال استخراج می‌شود. در این مدل جملات غیرخطی بستر هیتنی و جملات غیرخطی هندسی تئوری ون- کارمن تحت تحریکات مغناطیسی در حضور جریان سیال ورای ناپایداری فلاتر لحاظ می‌شود. در ادامه اثرات پارامترهای بستر روی مشخصات فلاتر خطی میکرو لوله‌های مغناطیس‌شونده حاوی سیال مورد مطالعه قرار می‌گیرد. سپس رفتار سیستم غیرخطی در سرعت‌های جریان بالاتر از سرعت بحرانی متناظر با کوپلینگ دو مود اول و دوم ارتعاشی با استفاده از روش مقیاس‌های چندگانه مورد مطالعه قرار می‌گیرد. منحنی‌های پاسخ غیرخطی در سرعت‌های بالاتر از سرعت بحرانی به‌دست‌آمده و اثرات تغییر پارامترهای مختلف سیستم اعم از سرعت جریان، دامنه و فرکانس میدان مغناطیسی، ثابت‌های سختی بستر هیتنی، ویسکوزیته و نسبت ابعاد روی رفتار غیرخطی سیستم بررسی می‌گردد. برخی از نتایج نشان دهنده آن است که افزایش مقادیر پارامتر سختی برشی بستر هیتنی اثر ناپایدار ساز دارد به طوری که با افزایش آن، ناپایداری فلاتر در فرکانس‌های پایین‌تر اتفاق می‌افتد.