| dc.contributor.author | پورهاشمی, سید محمد | fa_IR |
| dc.contributor.author | فلاحتی, سید احمد | fa_IR |
| dc.contributor.author | جلالی, بمانعلی | fa_IR |
| dc.contributor.author | بیطرف, مجید | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-08-21T23:22:10Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-11-11T23:22:10Z | |
| dc.date.available | 1399-08-21T23:22:10Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-11-11T23:22:10Z | |
| dc.date.issued | 2010-04-01 | en_US |
| dc.date.issued | 1389-01-12 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | پورهاشمی, سید محمد, فلاحتی, سید احمد, جلالی, بمانعلی, بیطرف, مجید. (1389). بررسی اثر میدان های مغناطیسی ترکیبی مستقیم (DC) و پالسی با فرکانس بسیار پایین (ELF) بر روی رشد باکتری E. Coli. فصلنامه علوم پزشکی, 20(1), 16-21. | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 1023-5922 | |
| dc.identifier.issn | 2008-3386 | |
| dc.identifier.uri | http://tmuj.iautmu.ac.ir/article-1-278-fa.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/493450 | |
| dc.description.abstract | سابقه و هدف: به دلیل اهمیت میدانهای مغناطیسی در ایجاد تغییراتی در رفتار سلولی و نیز پی بردن به مکانیزم اثر میدان های مغناطیسی ELF (Extremely low frequency) و ترکیب آن با میدان های مغناطیسی مستقیم روی سلول لازم است مطالعه وسیع تری صورت پذیرد. هدف از این تحقیق بررسی تاثیر میدانهای مغناطیسی ترکیبی مستقیم DC و ELF پالسی بر روی رشد باکتری E.Coli-DH5-α بود. روش بررسی: در مطالعه تجربی حاضر، در هر سری آزمایش ده عدد کووت حاوی محیط کشت تلقیح داده شده با باکتری E.Coli در دو گروه تجربی و شاهد بررسی شدند. گروه تجربی در انکوباتور در دمای 1/0±37 درجه سانتی گراد در داخل میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفت. شکل موج میدان متغیر در تمام موارد، پالسی با پهنای پالس 6 میلی ثانیه و محدوده اعمال فرکانس ها 10 الی 45 هرتز به فواصل 5 هرتز و محدوده شدت میدان پالسی موثر 2 الی 4 میلی تسلا به فواصل 1 میلی تسلا و میدان مغناطیسی ثابت در تمام آزمایش ها 1 میلی تسلا و مدت زمان اعمال میدان 6 ساعت بلا فاصله پس از شروع کشت بود. گروه شاهد در شرایط مشابه در محفظه ی آهنی و خارج میدان قرار داده شد. بررسی رشد باکتری، به روش کدورت سنجی محیط کشت ها به وسیله اسپکتروفتومتر در فواصل زمانی مشخص بود. اندازه گیری زمان تاخیر و نیز سرعت رشد در فاز لگاریتمی به عنوان شاخص های ارزیابی انتخاب گردید. یافته ها: میدان های مغناطیسی ترکیبی DC و ELF پالسی بجز فرکانس های 15، 25 و 40 هرتز، سرعت رشد را افزایش دادند. زمان تاخیر بجز در فرکانس های 15، 30 و 45 هرتز تغییر کرد. در فرکانس های 20 و 35 هرتز میدان باعث افزایش زمان تاخیر شد و در فرکانسهای 10 ، 25 و 40 هرتز زمان تاخیر کاهش می یابد و بنابراین در این محدوده از فرکانس اثر میدان بر روی زمان تاخیر در فواصل 15 هرتز تکرار شد.
نتیجه گیری: این تحقیق، وجود دریچه هایی از فرکانس را برای تشدید اثر میدان مغناطیسی بر روی سلول تایید کرد. | fa_IR |
| dc.format.extent | 729 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه آزاد اسلامی واحد پزشکی تهران | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | فصلنامه علوم پزشکی | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | MEDICAL SCIENCES JOURNAL | en_US |
| dc.subject | میدانهای مغناطیسی | fa_IR |
| dc.subject | ELF | fa_IR |
| dc.subject | E.Coli | fa_IR |
| dc.subject | رشد | fa_IR |
| dc.subject | اپيدميولوژي | fa_IR |
| dc.title | بررسی اثر میدان های مغناطیسی ترکیبی مستقیم (DC) و پالسی با فرکانس بسیار پایین (ELF) بر روی رشد باکتری E. Coli | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.citation.volume | 20 | |
| dc.citation.issue | 1 | |
| dc.citation.spage | 16 | |
| dc.citation.epage | 21 | |
