| dc.contributor.author | رحمتی, احمدرضا | fa_IR |
| dc.contributor.author | نجارنظامی, امین | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-08-20T21:56:50Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-11-10T21:56:51Z | |
| dc.date.available | 1399-08-20T21:56:50Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-11-10T21:56:51Z | |
| dc.date.issued | 2017-10-23 | en_US |
| dc.date.issued | 1396-08-01 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | رحمتی, احمدرضا, نجارنظامی, امین. (1396). شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی به روش شبکه بولتزمن. مهندسی مکانیک امیرکبیر (امیرکبیر), 49(3), 595-604. doi: 10.22060/mej.2016.733 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2008-6032 | |
| dc.identifier.issn | 2476-3446 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.22060/mej.2016.733 | |
| dc.identifier.uri | https://mej.aut.ac.ir/article_733.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/480226 | |
| dc.description.abstract | در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم می‌باشد. محفظه دارای زاویه ø نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با استفاده از مدل D2Q9 و D2Q5 که از مدل‌های رایج در روش شبکه بولتزمن هستند شبیه‌سازی می‌نماید. هدف اصلی این تحقیق شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در عدد رایلی 10<sup>5</sup> و بررسی اثر کمیت‌های مختلف مانند عدد هارتمن (60>Ha>) و زاویه شیب محفظه (˚90>>˚0) بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت در محفظه است. نتایج بدست آمده نشان می‌دهد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی باعث تضعیف جریان جابجایی طبیعی در محفظه شده و تغییرات شیب محفظه و کسر حجمی نانوذرات نیز تاثیرات متفاوتی بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت د ارد. در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه‌ی شیبدار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم می‌باشد. محفظه دارای زاویه نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با استفاده از مدل D2Q9 و D2Q5 که از مدل‌های رایج در روش شبکه بولتزمن هستند شبیه‌سازی می‌نماید. هدف اصلی این تحقیق شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در عدد رایلی 510 و بررسی اثر کمیت‌های مختلف مانند عدد هارتمن (60 0%) و زاویه شیب محفظه (˚90>>˚0) بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت در محفظه است. نتایج بدست آمده نشان می‌دهد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی باعث تضعیف جریان جابجایی طبیعی در محفظه شده و تغییرات شیب محفظه و کسر حجمی نانوذرات نیز تاثیرات متفاوتی بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت در محفظه د ارد. | fa_IR |
| dc.format.extent | 858 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه صنعتی امیر کبیر | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | مهندسی مکانیک امیرکبیر (امیرکبیر) | fa_IR |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.22060/mej.2016.733 | |
| dc.subject | جابجایی طبیعی | fa_IR |
| dc.subject | میدان مغناطیسی | fa_IR |
| dc.subject | توابع توزیع دوتایی | fa_IR |
| dc.subject | ضریب تخفیف چندتایی | fa_IR |
| dc.subject | روش شبکه بولتزمن | fa_IR |
| dc.subject | افزایش انتقال حرارت | fa_IR |
| dc.title | شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی به روش شبکه بولتزمن | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.type | مقاله پژوهشی | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 49 | |
| dc.citation.issue | 3 | |
| dc.citation.spage | 595 | |
| dc.citation.epage | 604 | |
