نمایش مختصر رکورد

طراحی وبررسی عملکردترانزیستور نانوصفحۀ ناهمگون دوسیم با دروازۀ همه‌جانبه

dc.contributor.authorعباس نژاد, رضاfa_IR
dc.contributor.authorرسولی سقای, حسنfa_IR
dc.contributor.authorحسینی, سیدرضاfa_IR
dc.contributor.authorصدقی, علی اصغرfa_IR
dc.contributor.authorواحدی, علیfa_IR
dc.date.accessioned1403-12-21T00:47:28Zfa_IR
dc.date.accessioned2025-03-11T00:47:28Z
dc.date.available1403-12-21T00:47:28Zfa_IR
dc.date.available2025-03-11T00:47:28Z
dc.date.issued2024-11-21en_US
dc.date.issued1403-09-01fa_IR
dc.date.submitted2024-03-05en_US
dc.date.submitted1402-12-15fa_IR
dc.identifier.citationعباس نژاد, رضا, رسولی سقای, حسن, حسینی, سیدرضا, صدقی, علی اصغر, واحدی, علی. (1403). طراحی وبررسی عملکردترانزیستور نانوصفحۀ ناهمگون دوسیم با دروازۀ همه‌جانبه. مجلۀ پژوهش فیزیک ایران, 24(3), 135-145. doi: 10.47176/ijpr.24.3.31862fa_IR
dc.identifier.issn1682-6957
dc.identifier.issn2345-3664
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.47176/ijpr.24.3.31862
dc.identifier.urihttps://ijpr.iut.ac.ir/article_3538.html
dc.identifier.urihttps://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/1141004
dc.description.abstractدر این مقاله، ما نوع جدیدی از ترانزیستور اثر میدانی نانوصفحه با دروازۀ (گیت) همه‌جانبه (GAA NS FET) را با عنوان سیم دوتایی (DW) معرفی می‌کنیم که اتصالات ناهمگون منبع (سورس) و کانال‌های کرنش را ادغام می‌کند. خواص الکتریکی آن را در دماهای مختلف(300 کلوین) ، (400 کلوین) و (500 کلوین) ارزیابی می‌کنیم و آنها را با ترانزیستور نانوصفحۀ ناهمگون دوسیم با دروازۀ همه‌جانبه (Heterojunction DW GAA NS FET) و ترانزیستور نانوصفحۀ معمولی با دروازۀ همه‌جانبه (Conventional DW GAA NS FET) مقایسه می‌کنیم. تحقیقات ما شامل اثرات کنترل الکترواستاتیکی بر روی پارامترهای DC و آنالوگ، از جمله ظرفیت دروازه (Cgg)، رسانایی (Gm) و بسامد قطع (FT) برای هر دو نوع قطعه است. ناحیۀ کانال در ساختارهای ما شامل ژرمانیوم-سیلیکون (SiGe) (Si/Ge/Si) است و معرفی کرنش و ساختار ناهمگونی به طور قابل توجهی عملکرد دستگاه را افزایش می‌دهد. برای تجزیه و تحلیل دقیق قطعۀ نیمه‌رسانا، معادلۀ گرادیان چگالی (DG) را به طور خودسازگار حل می‌کنیم. با استفاده از معادلۀ شاکلی-رید-هال (SRH) برای تخمین تولید حامل، با در نظر گرفتن باریک شدگی گاف انرژی در رفتار انتقال و محاسبۀ بازترکیب از مدل آگور استفاده می‌کنیم. علاوه‌بر‌این، در دماهای (300 کلوین) ، (400 کلوین) و (500 کلوین)، Heterojunction DW GAA NS FET در مقایسه با DW GAA NS FET معمولی، بهبود قابل توجهی در جریان حالت روشن و جریان حالت خاموش نشان می‌دهد. به طور کلی، نتایج ما بهبود قابل‌توجهی را در جریان تخلیه (درین)، رسانایی و بسامد افزایش واحد نشان می‌دهد که به ترتیب در دماهای مختلف، در حدود 34، 9.5 و 30 درصد افزایش یافته است. این بهبود به عملکرد برتر یسامد بالا برای Heterojunction DW GAA NS FET در مقایسه با DW GAA NS FET معمولی تبدیل می‌شود.fa_IR
dc.languageفارسی
dc.language.isofa_IR
dc.publisherانجمن فیزیک ایرانfa_IR
dc.relation.ispartofمجلۀ پژوهش فیزیک ایرانfa_IR
dc.relation.ispartofIranian Journal of Physics Researchen_US
dc.relation.isversionofhttps://dx.doi.org/10.47176/ijpr.24.3.31862
dc.subjectترانزیستور نانوصفحۀ ناهمگون دوسیم با دروازۀ همه جانبهfa_IR
dc.subjectترانزیستور نانوصفحۀ معمولی با دروازۀ همه جانبهfa_IR
dc.subjectگرادیان چگالیfa_IR
dc.subjectبسامد بالا / آنالوگfa_IR
dc.subjectحالت روشن و حالت خاموشfa_IR
dc.subjectنیمه‌هادی‌هاfa_IR
dc.titleطراحی وبررسی عملکردترانزیستور نانوصفحۀ ناهمگون دوسیم با دروازۀ همه‌جانبهfa_IR
dc.typeTexten_US
dc.typeمقاله پژوهشیfa_IR
dc.contributor.departmentبخش مهندسی برق، واحد شبستر، دانشگاه آزاد اسلامی، شبسترfa_IR
dc.contributor.departmentبخش مهندسی برق، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریزfa_IR
dc.contributor.departmentبخش مهندسی برق، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خویfa_IR
dc.contributor.departmentبخش فیزیک، واحد شبستر، دانشگاه آزاد اسلامی، شبسترfa_IR
dc.contributor.departmentبخش فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریزfa_IR
dc.citation.volume24
dc.citation.issue3
dc.citation.spage135
dc.citation.epage145
nlai.contributor.orcid0000-0002-6767-1381
nlai.contributor.orcid0000-0001-7210-1052


فایل‌های این مورد

فایل‌هااندازهقالبمشاهده

فایلی با این مورد مرتبط نشده است.

این مورد در مجموعه‌های زیر وجود دارد:

نمایش مختصر رکورد