نمایش مختصر رکورد

شبیه‌سازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیم‌رسانا

dc.contributor.authorارکابوف, ا یfa_IR
dc.contributor.authorشریفبوف, ن یوfa_IR
dc.contributor.authorدادمیرزااف, م گfa_IR
dc.contributor.authorرخیموف, د گfa_IR
dc.date.accessioned1403-12-21T00:47:23Zfa_IR
dc.date.accessioned2025-03-11T00:47:23Z
dc.date.available1403-12-21T00:47:23Zfa_IR
dc.date.available2025-03-11T00:47:23Z
dc.date.issued2024-11-21en_US
dc.date.issued1403-09-01fa_IR
dc.date.submitted2024-02-09en_US
dc.date.submitted1402-11-20fa_IR
dc.identifier.citationارکابوف, ا ی, شریفبوف, ن یو, دادمیرزااف, م گ, رخیموف, د گ. (1403). شبیه‌سازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیم‌رسانا. مجلۀ پژوهش فیزیک ایران, 24(3), 69-74. doi: 10.47176/ijpr.24.3.21845fa_IR
dc.identifier.issn1682-6957
dc.identifier.issn2345-3664
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.47176/ijpr.24.3.21845
dc.identifier.urihttps://ijpr.iut.ac.ir/article_3536.html
dc.identifier.urihttps://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/1140997
dc.description.abstractدر این مقاله، خواص فیزیکی سطح مادۀ CdS/ Si (p)  تحت تأثیر میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. وابستگی چگالی حالات سطحی نیمه‌رسانای نوع p Si(p)  به میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. برای اولین بار، یک مدل ریاضی برای تعیین وابستگی دمایی چگالی حالات سطحی یک نیم‌رسانا، تحت میدان مغناطیسی قوی توسعه داده شده است.مدل‌سازی فرایندها با استفاده از داده‌های تجربی طیف انرژی پیوستۀسیلیکون انجام شده‌ است . مقادیر تجربی فوق در دماهای پایین و میدان‌های مغناطیسی قوی در گاف نوار سیلیکون به‌دست آمده‌اند. امکان محاسبۀ سطوح انرژی گسسته نشان داده شده است.fa_IR
dc.languageفارسی
dc.language.isofa_IR
dc.publisherانجمن فیزیک ایرانfa_IR
dc.relation.ispartofمجلۀ پژوهش فیزیک ایرانfa_IR
dc.relation.ispartofIranian Journal of Physics Researchen_US
dc.relation.isversionofhttps://dx.doi.org/10.47176/ijpr.24.3.21845
dc.subjectچگالی حالات سطحیfa_IR
dc.subjectمیدان مغناطیسیfa_IR
dc.subjectهتروساختارfa_IR
dc.subjectترازهای عمیق مشخصۀ ولتاژ- ظرفیتfa_IR
dc.subjectمدل‌سازی ریاضیfa_IR
dc.subjectمواد نانوfa_IR
dc.titleشبیه‌سازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیم‌رساناfa_IR
dc.typeTexten_US
dc.typeمقاله پژوهشیfa_IR
dc.contributor.departmentموسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستانfa_IR
dc.contributor.departmentموسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستانfa_IR
dc.contributor.department-موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان -مؤسسۀ مهندسی ساخت و ساز نامنگان، 160103، نامنگان ازبکستانfa_IR
dc.contributor.departmentموسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستانfa_IR
dc.citation.volume24
dc.citation.issue3
dc.citation.spage69
dc.citation.epage74
nlai.contributor.orcid0000-0002-6841-8214
nlai.contributor.orcid0000-0002-6417-9973
nlai.contributor.orcid0000-0003-0850-1398


فایل‌های این مورد

فایل‌هااندازهقالبمشاهده

فایلی با این مورد مرتبط نشده است.

این مورد در مجموعه‌های زیر وجود دارد:

نمایش مختصر رکورد