در این مقاله، ما نوع جدیدی از ترانزیستور اثر میدانی نانوصفحه با دروازۀ (گیت) همه‌جانبه (GAA NS FET) را با عنوان سیم دوتایی (DW) معرفی می‌کنیم که اتصالات ناهمگون منبع (سورس) و کانال‌های کرنش را ادغام می‌کند. خواص الکتریکی ...