نمایش مختصر رکورد

dc.contributor.authorحسینی, محمدfa_IR
dc.contributor.authorحسینی, افشینfa_IR
dc.contributor.authorبهاءالدینی, رضاfa_IR
dc.date.accessioned1402-04-20T17:35:37Zfa_IR
dc.date.accessioned2023-07-11T17:35:39Z
dc.date.available1402-04-20T17:35:37Zfa_IR
dc.date.available2023-07-11T17:35:39Z
dc.date.issued2022-10-23en_US
dc.date.issued1401-08-01fa_IR
dc.date.submitted2019-02-09en_US
dc.date.submitted1397-11-20fa_IR
dc.identifier.citationحسینی, محمد, حسینی, افشین, بهاءالدینی, رضا. (1401). تحلیل ارتعاشات و پایداری میکرولوله‌ی حامل سیال تحت تأثیر میدان‌های حرارتی، الکتریکی و مغناطیسی. مهندسی مکانیک امیرکبیر (امیرکبیر), 54(8), 1803-1832. doi: 10.22060/mej.2019.15800.6205fa_IR
dc.identifier.issn2008-6032
dc.identifier.issn2476-3446
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.22060/mej.2019.15800.6205
dc.identifier.urihttps://mej.aut.ac.ir/article_4884.html
dc.identifier.urihttps://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/1005026
dc.description.abstractدر این پژوهش، به تحلیل ارتعاشات و پایداری میکرولوله‌های حامل سیال تحت تأثیر میدان‌های مغناطیسی، الکتریکی و حرارتی با استفاده از تئوری‌های کلاسیک، تنش کوپل اصلاح شده و گرادیان کرنش اصلاح شده پرداخته شده است. برای مدل‌سازی لوله از تئوری تیر اویلر-برنولی با شرایط مرزی مختلف اعم از یکسرگیردار-یکسرپین، دوسرگیردار و دوسرپین استفاده شده است. معادلات دیفرانسیل حاکم بر ارتعاشات میکرو لوله حامل سیال از روش توسعه یافته‌ی همیلتون استخراج شده و از روش توسعه یافته‌ی گالرکین جهت تبدیل معادلات با مشتقات جزئی به معادلات با مشتقات معمولی استفاده شده است. با تحلیل فرکانسی مسئله، به بررسی پارامترهای وابسته به اندازه، میدان‌های مغناطیسی، الکتریکی و حرارتی، شرایط مرزی مختلف بر روی مقادیر ویژه و سرعت بحرانی سیال پرداخته شده است. نتایج به دست آماده برای هر سه تئوری با یکدیگر مقایسه شده‌اند که نشان دادند، تئوری گرادیان کرنش اصلاح شده نسبت به تئوری تنش-کوپل اصلاح شده و تئوری کلاسیک، فرکانس‌های طبیعی و سرعت سیال بحرانی بیشتری پیش‌بینی می‌کند. تاثیرات میدان‌های مغناطیسی، الکتریکی و حرارتی به همراه شرایط مرزی مختلف بر روی مقادیر ویژه و سرعت سیال بحرانی مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان دادند که پایداری مسئله با افزایش ضریب میدان مغناطیسی افزایش می‌یابد ولی با افزایش ضریب میدان‌های الکتریکی و حرارتی، کاهش می‌یابد.fa_IR
dc.format.extent2380
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.languageفارسی
dc.language.isofa_IR
dc.publisherدانشگاه صنعتی امیر کبیرfa_IR
dc.relation.ispartofمهندسی مکانیک امیرکبیر (امیرکبیر)fa_IR
dc.relation.isversionofhttps://dx.doi.org/10.22060/mej.2019.15800.6205
dc.subjectارتعاشاتfa_IR
dc.subjectمیکرولوله‌ی حامل سیالfa_IR
dc.subjectماده مگنتو-الکترو- الاستیکfa_IR
dc.subjectگرادیان کرنشfa_IR
dc.subjectتداخل سازه و سیالfa_IR
dc.titleتحلیل ارتعاشات و پایداری میکرولوله‌ی حامل سیال تحت تأثیر میدان‌های حرارتی، الکتریکی و مغناطیسیfa_IR
dc.typeTexten_US
dc.typeمقاله پژوهشیfa_IR
dc.contributor.departmentدانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی سیرجان، سیرجان، ایرانfa_IR
dc.contributor.departmentدانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی سیرجان، سیرجان، ایرانfa_IR
dc.contributor.departmentدانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایرانfa_IR
dc.citation.volume54
dc.citation.issue8
dc.citation.spage1803
dc.citation.epage1832


فایل‌های این مورد

Thumbnail

این مورد در مجموعه‌های زیر وجود دارد:

نمایش مختصر رکورد